CGD65A130S2-T13 Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы_Standard International(h.k)ltd. - поставщик дистрибьютор электронных компонентов

Номер запчастей：

Классификация продукции：

Производитель：

Тип：

Упаковка：

Количество：

Состояние RoHS：

CGD65A130S2-T13

Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы

Cambridge GaN Devices

650V GAN HEMT, 130MOHM, DFN8X8.

Лента и катушка (TR)

3352

Цены:

$2.9880

Запасы: 3352

Общее число

Количество

Цены

Общая цена

$5.6250

$4.8240

$48.2400

100

$4.0140

$401.4000

500

$3.5460

$1,773.0000

1000

$3.1950

$3,195.0000

3500

$2.9880

$10,458.0000

Получить информацию о предложении

Продукты Подробнее

CGD65A130S2-T13

Номер запчастей：

Классификация продукции：

Производитель：

Тип：

Упаковка：

Количество：

Состояние RoHS：

Спецификация книги：

CGD65A130S2-T13

Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы

Cambridge GaN Devices

650V GAN HEMT,

Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы

Лента и катушка (TR)

3352

Продукты параметры

ТИП	ОПИСАНИЕ
Производитель	Cambridge GaN Devices
Ряд	ICeGaN™
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Статус продукта	ACTIVE
Пакет/кейс	16-PowerVDFN
Тип монтажа	Surface Mount
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Технологии	GaNFET (Gallium Nitride)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	12A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs	182mOhm @ 900mA, 12V
Особенность полевого транзистора	Current Sensing
Vgs(th) (Макс) @ Id	4.2V @ 4.2mA
Пакет устройств поставщика	16-DFN (8x8)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)	12V
ВГС (Макс)	+20V, -1V
Напряжение стока к источнику (Vdss)	650 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	2.3 nC @ 12 V

онлайн услуги

онлайн услуги

онлайн услуги