CGD65B130S2-T13 Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы_Standard International(h.k)ltd. - поставщик дистрибьютор электронных компонентов

Номер запчастей：

Классификация продукции：

Производитель：

Тип：

Упаковка：

Количество：

Состояние RoHS：

CGD65B130S2-T13

Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы

Cambridge GaN Devices

650V GAN HEMT, 130MOHM, DFN5X6.

Лента и катушка (TR)

4885

Цены:

$5.7780

Запасы: 4885

Общее число

Количество

Цены

Общая цена

$5.7780

$4.8510

$48.5100

100

$3.9240

$392.4000

500

$3.4920

$1,746.0000

1000

$2.9880

$2,988.0000

2000

$2.8170

$5,634.0000

5000

$2.7000

$13,500.0000

Получить информацию о предложении

Продукты Подробнее

CGD65B130S2-T13

Номер запчастей：

Классификация продукции：

Производитель：

Тип：

Упаковка：

Количество：

Состояние RoHS：

Спецификация книги：

CGD65B130S2-T13

Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы

Cambridge GaN Devices

650V GAN HEMT,

Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы

Лента и катушка (TR)

4885

Спецификация книги

Продукты параметры

PDF(1)

ТИП	ОПИСАНИЕ
Производитель	Cambridge GaN Devices
Ряд	ICeGaN™
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Статус продукта	ACTIVE
Пакет/кейс	8-PowerVDFN
Тип монтажа	Surface Mount
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Технологии	GaNFET (Gallium Nitride)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	12A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs	182mOhm @ 900mA, 12V
Особенность полевого транзистора	Current Sensing
Vgs(th) (Макс) @ Id	4.2V @ 4.2mA
Пакет устройств поставщика	8-DFN (5x6)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)	9V, 20V
ВГС (Макс)	+20V, -1V
Напряжение стока к источнику (Vdss)	650 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	2.3 nC @ 12 V

онлайн услуги

онлайн услуги

онлайн услуги