CGD65B200S2-T13 Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы_Standard International(h.k)ltd. - поставщик дистрибьютор электронных компонентов

Номер запчастей：

Классификация продукции：

Производитель：

Тип：

Упаковка：

Количество：

Состояние RoHS：

CGD65B200S2-T13

Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы

Cambridge GaN Devices

650V GAN HEMT, 200MOHM, DFN5X6.

Лента и катушка (TR)

4355

Цены:

$4.0950

Запасы: 4355

Общее число

Количество

Цены

Общая цена

$4.0950

$3.4380

$34.3800

100

$2.7810

$278.1000

500

$2.4750

$1,237.5000

1000

$2.1150

$2,115.0000

2000

$1.9890

$3,978.0000

5000

$1.9170

$9,585.0000

Получить информацию о предложении

Продукты Подробнее

CGD65B200S2-T13

Номер запчастей：

Классификация продукции：

Производитель：

Тип：

Упаковка：

Количество：

Состояние RoHS：

Спецификация книги：

CGD65B200S2-T13

Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы

Cambridge GaN Devices

650V GAN HEMT,

Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы

Лента и катушка (TR)

4355

Спецификация книги

Продукты параметры

PDF(1)

ТИП	ОПИСАНИЕ
Производитель	Cambridge GaN Devices
Ряд	ICeGaN™
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Статус продукта	ACTIVE
Пакет/кейс	8-PowerVDFN
Тип монтажа	Surface Mount
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Технологии	GaNFET (Gallium Nitride)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	8.5A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs	280mOhm @ 600mA, 12V
Особенность полевого транзистора	Current Sensing
Vgs(th) (Макс) @ Id	4.2V @ 2.75mA
Пакет устройств поставщика	8-DFN (5x6)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)	9V, 20V
ВГС (Макс)	+20V, -1V
Напряжение стока к источнику (Vdss)	650 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	1.4 nC @ 12 V

онлайн услуги

онлайн услуги

онлайн услуги