0755-83211462
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>FBG20N18BSH
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>FBG20N18BSH
Номер запчастей
Классификация продукции
Производитель
Тип
Упаковка
Упаковка
Количество
Состояние RoHS
FBG20N18BSH
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
EPC Space
GAN FET HEMT 200V 18A 4FSMD-B
-
Масса
51
Цены:
$353.4750
Запасы: 51
Общее число

Количество

Цены

Общая цена

1

$353.4750

$353.4750

10

$340.1910

$3,401.9100

Получить информацию о предложении
Продукты Подробнее
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>FBG20N18BSH
FBG20N18BSH
Номер запчастей
Классификация продукции
Производитель
Тип
Упаковка
Упаковка
Количество
Состояние RoHS
Спецификация книги
FBG20N18BSH
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
EPC Space
GAN FET HEMT 20
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Масса
51 
-
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительEPC Space
Рядe-GaN®
УпаковкаМасса
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс4-SMD, No Lead
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииGaNFET (Gallium Nitride)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C18A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs28mOhm @ 18A, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id2.5V @ 3mA
Пакет устройств поставщика4-SMD
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)5V
ВГС (Макс)+6V, -4V
Напряжение стока к источнику (Vdss)200 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs7 nC @ 5 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds900 pF @ 100 V
captcha

онлайн услуги

Время работы: с понедельника по субботу с 9:00 до 18:00
Время работы: с понедельника по субботу с 9:00 до 18:00
0755-83211462

онлайн услуги

Время работы: с понедельника по субботу с 9:00 до 18:00
Пожалуйста, выберите онлайн сервис:

онлайн услуги

Время работы: с понедельника по субботу с 9:00 до 18:00
Пожалуйста, выберите онлайн сервис:
点击这里给我发消息
0