G06NP06S2 Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов_Shenzhen Hongchangsheng Electronic Technology CO.,LTD. - поставщик дистрибьютор электронных компонентов

Номер запчастей：

Классификация продукции：

Производитель：

Тип：

Упаковка：

Количество：

Состояние RoHS：

G06NP06S2

Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов

Goford Semiconductor

MOSFET N/P-CH 60V 6A 8SOP

Лента и катушка (TR)

11960

Цены:

$0.7470

Запасы: 11960

Общее число

Количество

Цены

Общая цена

$0.7470

$0.6480

$6.4800

100

$0.4500

$45.0000

500

$0.3780

$189.0000

1000

$0.3240

$324.0000

2000

$0.2880

$576.0000

4000

$0.2880

$1,152.0000

8000

$0.2700

$2,160.0000

12000

$0.2520

$3,024.0000

28000

$0.2520

$7,056.0000

Получить информацию о предложении

Продукты Подробнее

G06NP06S2

Номер запчастей：

Классификация продукции：

Производитель：

Тип：

Упаковка：

Количество：

Состояние RoHS：

Спецификация книги：

G06NP06S2

Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов

Goford Semiconductor

MOSFET N/P-CH 6

Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов

Лента и катушка (TR)

11960

Спецификация книги

Продукты параметры

PDF(1)

ТИП	ОПИСАНИЕ
Производитель	Goford Semiconductor
Ряд	TrenchFET®
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Статус продукта	ACTIVE
Пакет/кейс	8-SOP
Тип монтажа	Surface Mount
Конфигурация	N and P-Channel
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Мощность - Макс.	2W (Tc), 2.5W (Tc)
Напряжение стока к источнику (Vdss)	60V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	6A (Tc)
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	1350pF @ 30V, 2610pF @ 30V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs	35mOhm @ 6A, 10V, 45mOhm @ 5A, 10V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	22nC @ 10V, 25nC @ 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA
Пакет устройств поставщика	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

онлайн услуги

онлайн услуги

онлайн услуги