TP65H150G4LSG Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы_Standard International(h.k)ltd. - поставщик дистрибьютор электронных компонентов

Номер запчастей：

Классификация продукции：

Производитель：

Тип：

Упаковка：

Количество：

Состояние RoHS：

TP65H150G4LSG

Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы

Transphorm

GAN FET N-CH 650V PQFN

Поднос

2834

Цены:

$4.5540

Запасы: 2834

Общее число

Количество

Цены

Общая цена

$4.5540

$4.0860

$40.8600

100

$3.3480

$334.8000

500

$2.8530

$1,426.5000

1000

$2.4030

$2,403.0000

3000

$2.1150

$6,345.0000

Получить информацию о предложении

Продукты Подробнее

TP65H150G4LSG

Номер запчастей：

Классификация продукции：

Производитель：

Тип：

Упаковка：

Количество：

Состояние RoHS：

Спецификация книги：

TP65H150G4LSG

Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы

Transphorm

GAN FET N-CH 65

Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы

Поднос

2834

Продукты параметры

ТИП	ОПИСАНИЕ
Производитель	Transphorm
Ряд	-
Упаковка	Поднос
Статус продукта	ACTIVE
Пакет/кейс	3-PowerTDFN
Тип монтажа	Surface Mount
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Технологии	GaNFET (Gallium Nitride)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	13A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs	180mOhm @ 8.5A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)	52W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id	4.8V @ 500µA
Пакет устройств поставщика	3-PQFN (8x8)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)	10V
ВГС (Макс)	±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)	650 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	8 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	598 pF @ 400 V

онлайн услуги

онлайн услуги

онлайн услуги