0755-83211462
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>TPD3215M
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>TPD3215M
Номер запчастей
Классификация продукции
Производитель
Тип
Упаковка
Упаковка
Количество
Состояние RoHS
TPD3215M
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Transphorm
GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE
-
Масса
0
Цены:
Общее число

Количество

Цены

Общая цена

Получить информацию о предложении
Продукты Подробнее
image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>TPD3215M
TPD3215M
Номер запчастей
Классификация продукции
Производитель
Тип
Упаковка
Упаковка
Количество
Состояние RoHS
Спецификация книги
TPD3215M
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Transphorm
GANFET 2N-CH 60
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Масса
-
Продукты параметры
PDF(1)
PDF(2)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительTransphorm
Ряд-
УпаковкаМасса
Статус продуктаOBSOLETE
Пакет/кейсModule
Тип монтажаThrough Hole
Конфигурация2 N-Channel (Half Bridge)
Рабочая Температура-40°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииGaNFET (Gallium Nitride)
Мощность - Макс.470W
Напряжение стока к источнику (Vdss)600V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C70A (Tc)
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds2260pF @ 100V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs34mOhm @ 30A, 8V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs28nC @ 8V
Пакет устройств поставщикаModule
captcha

онлайн услуги

Время работы: с понедельника по субботу с 9:00 до 18:00
Время работы: с понедельника по субботу с 9:00 до 18:00
0755-83211462

онлайн услуги

Время работы: с понедельника по субботу с 9:00 до 18:00
Пожалуйста, выберите онлайн сервис:

онлайн услуги

Время работы: с понедельника по субботу с 9:00 до 18:00
Пожалуйста, выберите онлайн сервис:
点击这里给我发消息
0