TW015Z120C,S1F Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы_Standard International(h.k)ltd. - поставщик дистрибьютор электронных компонентов

Номер запчастей：

Классификация продукции：

Производитель：

Тип：

Упаковка：

Количество：

Состояние RoHS：

TW015Z120C,S1F

Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 1

Трубка

Цены:

$55.1970

Запасы: 98

Общее число

Количество

Цены

Общая цена

$55.1970

$48.5010

$1,455.0300

120

$45.1620

$5,419.4400

Получить информацию о предложении

Продукты Подробнее

TW015Z120C,S1F

Номер запчастей：

Классификация продукции：

Производитель：

Тип：

Упаковка：

Количество：

Состояние RoHS：

Спецификация книги：

TW015Z120C,S1F

Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

G3 1200V SIC-MO

Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы

Трубка

Спецификация книги

Продукты параметры

PDF(1)

ТИП	ОПИСАНИЕ
Производитель	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ряд	-
Упаковка	Трубка
Статус продукта	ACTIVE
Пакет/кейс	TO-247-4
Тип монтажа	Through Hole
Рабочая Температура	175°C
Технологии	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	100A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs	21mOhm @ 50A, 18V
Рассеиваемая мощность (макс.)	431W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id	5V @ 11.7mA
Пакет устройств поставщика	TO-247-4L(X)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)	18V
ВГС (Макс)	+25V, -10V
Напряжение стока к источнику (Vdss)	1200 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	158 nC @ 18 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	6000 pF @ 800 V

онлайн услуги

онлайн услуги

онлайн услуги